A novel SiC trench JFET with 2.5 MeV high-energy ion implantation and floating trench field limiting ring termination

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标题	A novel SiC trench JFET with 2.5 MeV high-energy ion implantation and floating trench field limiting ring termination
网址	https://doi.org/10.35848/1347-4065/ae3509
DOI	10.35848/1347-4065/ae3509 doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Moufu Kong; Bingling Yuan; Jiaru Jia; Hongfei Deng; Qizhi Feng; et al 出版日期：2026
求助人	涟漪在 2026-05-20 21:39:07 发布自陕西，悬赏 10 积分
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