High-$V_{\text{th}}$ E-Mode PIN-Gate GaN HEMT: Supporting Gate Drive Voltages >12 V

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标题	High-$V_{\text{th}}$ E-Mode PIN-Gate GaN HEMT: Supporting Gate Drive Voltages >12 V
网址	https://doi.org/10.23919/ISPSD62843.2025.11118198
DOI	10.23919/ISPSD62843.2025.11118198 doi
其它	期刊：2025 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 作者：Mao Jia; Bin Hou; Ling Yang; Xuefeng Zheng; Xiaohua Ma; Yue Hao 出版日期：2025
求助人	stop here 在 2026-04-09 15:46:48 发布自湖南，悬赏 10 积分
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