Design of U-Shape Channel Tunnel FETs With SiGe Source Regions

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标题	Design of U-Shape Channel Tunnel FETs With SiGe Source Regions SiGe源区U形沟道隧道场效应晶体管的设计相关领域量子隧道阈下摆动晶体管场效应晶体管光电子学材料科学电气工程兴奋剂硅锗泄漏（经济）工程类硅电压经济宏观经济学
网址	http://dx.doi.org/10.1109/ted.2013.2289075
DOI	10.1109/ted.2013.2289075 doi
求助人	虚心醉蝶在 2024-03-22 21:29:24 发布自陕西，悬赏 10 积分
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