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Electro-Thermal Simulation of GaN HEMT Based on a Scaling-Factor-Enhanced Time-Domain Spectral Element Solver 基于比例因子增强时域谱元求解器的GaN HEMT电热模拟
相关领域
高电子迁移率晶体管
解算器
时域
缩放比例
材料科学
电子工程
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热的
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计算机科学
物理
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晶体管
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期刊:IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 作者:Chunyu Li; Tiancheng Zhang; Huaguang Bao; Aiqiang Cheng; Dunjun Chen; et al 出版日期:2024-08-21 |
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