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 Optical and structural properties of Si doped $β$-Ga$_2$O$_3$ (010) thin films homoepitaxially grown by halide vapor phase epitaxy 卤化物气相外延同质外延生长Si掺杂$β$-Ga$_2$O$_3$(010)薄膜的光学和结构性质
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期刊：arXiv (Cornell University) 作者：Bahadir Küçükgök; David J. Mandia; Jacob H. Leach; K. R. Evans; J. A. Eastman; et al 出版日期：2019-06-21 |
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