First Demonstration of Atomic-Layer-Deposited BEOL-Compatible In2O3 3D Fin Transistors and Integrated Circuits: High Mobility of 113 cm2/V•s, Maximum Drain Current of 2.5 mA/μm and Maximum Voltage Gain of 38 V/V in In2O3 Inverter

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标题	First Demonstration of Atomic-Layer-Deposited BEOL-Compatible In2O3 3D Fin Transistors and Integrated Circuits: High Mobility of 113 cm2/V•s, Maximum Drain Current of 2.5 mA/μm and Maximum Voltage Gain of 38 V/V in In2O3 Inverter
网址	https://ieeexplore.ieee.org/document/9508760
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
求助人	朴实惜天在 2025-11-18 11:23:17 发布自浙江，悬赏 10 积分
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