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XAFS studies of Al/TiN x films on Si(100) at the Al K- and L 3,2-edge 相关领域
锡
X射线吸收精细结构
K-边
铝
材料科学
GSM演进的增强数据速率
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期刊:Journal of Synchrotron Radiation 作者:Z. Zou; Y. F. Hu; T. K. Sham; H. H. Huang; G. Q. Xu; et al 出版日期:2004-07-19 |
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