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 Identification of the atomic scale defects involved in radiation damage in HfO/sub 2/ based MOS devices 相关领域
材料科学
铪
硅
辐射损伤
原子单位
电介质
辐照
氧化物
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辐射硬化
光电子学
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原子物理学
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化学
物理
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量子力学
核物理学
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期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science 作者：Jason T. Ryan; Patrick M. Lenahan; A.Y. Kang; John F. Conley; G. Bersuker; et al 出版日期：2005-12-01 |
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