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Influence of AlGaN and InGaN Back Barriers on the Performance of AlGaN/GaN HEMT
AlGaN和InGaN背势垒对AlGaN/GaN HEMT性能的影响
相关领域
材料科学 高电子迁移率晶体管 击穿电压 光电子学 蓝宝石 晶体管 电压 氮化镓 电气工程 复合材料 图层（电子） 光学 物理 工程类 激光器
网址
https://doi.org/10.1080/02564602.2015.1042930
DOI
10.1080/02564602.2015.1042930 doi
其它 期刊：IETE Technical Review
作者：Shreyash Pratap Singh; Nidhi Chaturvedi
出版日期：2015-06-15
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紧张的怜寒 在 2025-05-07 23:39:14 发布自广东，悬赏 30 积分
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