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Effect of Doping Concentration on Intrinsic Ferroelectric Properties of HfLaO-Based Ferroelectric Memory |
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Yongkai Liu; Tianyu Wang; Kangli Xu; Zhenhai Li; Jiajie Yu; et al 出版日期:2024-03-01 |
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(2025-6-4)