| 标题 |
 Low-dislocation, high-crystal-quality Si-doped AlN on 6-inch sapphire via plasma-seeded pulsed epitaxy 相关领域
材料科学
金属有机气相外延
外延
蓝宝石
光电子学
化学气相沉积
高分辨率透射电子显微镜
成核
表面粗糙度
位错
氮化物
宽禁带半导体
氮化镓
二极管
制作
薄脆饼
残余应力
薄膜
晶体生长
钻石
表面光洁度
分子束外延
小丘
晶格常数
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| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Bang-Yao Mao; Ming Li; Yi Yang; Zhang Wen; Wei-Zhe Bi; et al 出版日期：2026-09-21 |
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