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标题
Effect of InGaN well layer growth rate upon photoluminescence of InGaN/GaN multiple-quantum-well structures
InGaN阱层生长速率对InGaN/GaN多量子阱结构光致发光的影响
相关领域
光致发光 光电子学 材料科学 图层(电子) 量子阱 铟镓氮化物 氮化镓 纳米技术 光学 物理 激光器
网址
DOI
10.1016/j.micrna.2022.207211 doi
其它 期刊:Micro and Nanostructures
作者:Rui Li; Chengxin Wang; Kaiju Shi; Zonghao Wu; Jianyang Deng; et al
出版日期:2022-03-30
求助人
uscd_del 在 2025-12-06 14:42:14 发布自北京,悬赏 10 积分
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