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Impact of Gamma Radiations on Static, Pulsed I–V, and RF Performance Parameters of AlGaN/GaN HEMT
γ辐射对AlGaN/GaN HEMT静态、脉冲I-V和射频性能参数的影响
相关领域
高电子迁移率晶体管 符号 数学 材料科学 物理 算术 量子力学 晶体管 电压
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2022.3161402
DOI
10.1109/ted.2022.3161402 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Ajay Kumar Visvkarma; Khushwant Sehra; Chanchal Saraswat; Robert Laishram; Amit Malik; et al
出版日期：2022-03-31
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雷火神织 在 2025-12-04 17:18:26 发布自河北，悬赏 10 积分
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