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Fabrication and characterization of a high-electron-mobility transistor using a sputtering buffer layer on a Si substrate 在硅衬底上使用溅射缓冲层的高电子迁移率晶体管的制备和表征
相关领域
材料科学
溅射
光电子学
外延
图层(电子)
高电子迁移率晶体管
化学气相沉积
基质(水族馆)
氮化镓
晶体管
缓冲器(光纤)
氮化物
薄膜
纳米技术
计算机科学
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期刊:Journal of Crystal Growth 作者:Yoshihiro Ueoka; Yuya Suemoto; Maki Kiuchi; Tokio Takahashi; Mitsuaki Shimizu; et al 出版日期:2023-05-16 |
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