Simulation of heavy ion irradiation effect on 3D MOSFET

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标题	Simulation of heavy ion irradiation effect on 3D MOSFET 三维MOSFET重离子辐照效应的模拟相关领域 MOSFET 单事件翻转辐照线性能量转移材料科学晶体管瞬态（计算机编程）半导体器件离子心烦意乱光电子学场效应晶体管半导体光学电气工程物理电压纳米技术核物理学静态随机存取存储器图层（电子）工程类法学政治学操作系统量子力学计算机科学
网址	https://aip.scitation.org/doi/pdf/10.1063/5.0131345
DOI	10.1063/5.0131345 doi
其它	期刊：AIP Advances 作者：Ke Li; Jianhong Hao; Qiang Zhao; Fang Zhang; Zhiwei Dong 出版日期：2023-02-01
求助人	高贵春天在 2025-12-09 19:16:41 发布自重庆，悬赏 10 积分
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