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 Self-rectifying resistive switching phenomena observed in Ti/ZrN/Pt/p-Si structures for crossbar array memory applications 用于交叉开关阵列存储器的Ti/ZrN/Pt/p-Si结构中观察到的自整流电阻开关现象
相关领域
电阻随机存取存储器
材料科学
光电子学
实现（概率）
电压
二极管
横杆开关
电气工程
工程类
数学
统计
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Jinsu Jung; Dongjoo Bae; Sungho Kim; Hee-Dong Kim 出版日期：2021-03-19 |
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