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Defects in the GaAs and InGaAs layers grown by low-temperature molecular-beam epitaxy 低温分子束外延生长GaAs和InGaAs层中的缺陷
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期刊:Russian Physics Journal 作者:L. G. Lavrentieva; M. D. Vilisova; I. A. Bobrovnikova; И. В. Ивонин; В. В. Преображенский; et al 出版日期:2006-12-01 |
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