Engineering Interface Fixed Charges in AlON/SiO 2 via In Situ Nitrogen Doping: Toward Threshold-Voltage Matching for SiC CMOS

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标题	Engineering Interface Fixed Charges in AlON/SiO 2 via In Situ Nitrogen Doping: Toward Threshold-Voltage Matching for SiC CMOS
网址	https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acsaelm.6c00317
DOI	10.1021/acsaelm.6c00317 doi
其它	期刊：ACS Applied Electronic Materials 作者：Hang Su; Cheng Zhang; Xuetong Zhou; Zhongyu Liu; Changzhe Zhao; et al 出版日期：2026-03-28
求助人	kiki 在 2026-04-24 13:48:29 发布自江苏，悬赏 10 积分
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