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Field‐Effect Transistors from Artificial Charged Domain Walls in Stacked Van der Waals Ferroelectric α‐In 2 Se 3 |
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期刊:Advanced Materials 作者:Shahriar Muhammad Nahid; Haiyue Dong; Gillian M. Nolan; SungWoo Nam; Nadya Mason; et al 出版日期:2026-01-30 |
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