Description of the SiO2Si interface properties by means of very low frequency MOS capacitance measurements

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标题	Description of the SiO2Si interface properties by means of very low frequency MOS capacitance measurements
网址	http://dx.doi.org/10.1016/0039-6028(71)90092-6
DOI	10.1016/0039-6028(71)90092-6 doi
求助人	LBJ 在 2026-10-08 13:34:58 发布自广西，悬赏 10 积分
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