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 Investigation into Relationship of the Switching Performance and Short-Circuit Withstand Time on 1.2 kV 4H-SiC Power MOSFETs 1.2 kV 4H-SiC功率MOSFET开关性能与短路耐受时间关系的研究
相关领域
功率MOSFET
MOSFET
功率（物理）
电气工程
材料科学
碳化硅
切换时间
功率半导体器件
光电子学
电子工程
电压
工程类
晶体管
物理
复合材料
量子力学
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期刊： 作者：J. Kim; Jae Hyung Park; Shadi Sabri; Brian Fetzer; Brett Hull; et al 出版日期：2024-06-02 |
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