Temperature-dependent electron mobility in GaN: Effects of space charge and interface roughness scattering

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标题	Temperature-dependent electron mobility in GaN: Effects of space charge and interface roughness scattering GaN中与温度相关的电子迁移率：空间电荷和界面粗糙度散射的影响相关领域散射蒙特卡罗方法空间电荷电子迁移率杂质电子表面光洁度材料科学量子阱宽禁带半导体凝聚态物理计算物理学电离物理光学量子力学离子统计复合材料数学激光器
网址	https://doi.org/10.1063/1.111511
DOI	10.1063/1.111511 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：R. P. Joshi 出版日期：1994-01-10
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