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标题
Ferroelectric α-In2Se3 Semi-floating Gate Transistors for Multilevel Memory and Optoelectronic Logic Gate
用于多级存储器和光电逻辑门的铁电α-In2Se3半浮栅晶体管
相关领域
材料科学 光电子学 晶体管 铁电性 非易失性存储器 逻辑门 NOR门 与非门 电气工程 电压 电介质 工程类
网址
https://doi.org/10.1021/acsami.5c01586
AI链接 nih.govdoi.org
DOI
10.1021/acsami.5c01586 doi
其它 期刊：ACS Applied Materials & Interfaces
作者：Youjian Song; Zhidong Pan; Cheng‐Ming Luo; Yue Wang; Tao Zheng; et al
出版日期：2025-04-23
求助人
gentille 在 2025-05-13 11:16:41 发布自四川，悬赏 10 积分
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