High-efficiency InGaN red light-emitting diodes with external quantum efficiency of 10.5% using extended quantum well structure with AlGaN interlayers

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标题	High-efficiency InGaN red light-emitting diodes with external quantum efficiency of 10.5% using extended quantum well structure with AlGaN interlayers 采用AlGaN夹层扩展量子阱结构的高效InGaN红光二极管相关领域光电子学发光二极管材料科学量子效率宽禁带半导体量子阱二极管量子光学物理激光器量子力学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0187902
DOI	10.1063/5.0187902 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：D. Lee; Young‐Jin Choi; Soojin Jung; Yongmin Kim; Soo Young Park; et al 出版日期：2024-03-18
求助人	甜美的秋尽在 2025-07-08 16:02:53 发布自江西，悬赏 10 积分
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