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标题
An industrially viable TOPCon structure with both ultra-thin SiOx and n+-poly-Si processed by PECVD for p-type c-Si solar cells
PECVD制备的超薄SiOx和n+-poly-Si复合TOPCon结构用于p型c-Si太阳电池
相关领域
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网址
https://doi.org/10.1016/j.solmat.2019.109926
DOI
10.1016/j.solmat.2019.109926 doi
其它 期刊：Solar Energy Materials and Solar Cells
作者：Tian Gao; Qing Yang; Xueqi Guo; Yuqing Huang; Zhi Zhang; et al
出版日期：2019-09-01
求助人
云止 在 2025-06-12 12:45:29 发布自四川，悬赏 10 积分
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