Correlating device behaviors with semiconductor lattice damage at MOS interface by comparing plasma-etching and regrown recessed-gate Al2O3/GaN MOS-FETs

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标题	Correlating device behaviors with semiconductor lattice damage at MOS interface by comparing plasma-etching and regrown recessed-gate Al2O3/GaN MOS-FETs 通过比较等离子体刻蚀和再生凹栅Al2O3/GaN MOS-FET将器件行为与MOS界面半导体晶格损伤相关联相关领域材料科学光电子学异质结感应耦合等离子体等离子体刻蚀蚀刻（微加工）等离子体纳米技术图层（电子）量子力学物理
网址	https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.148710
DOI	10.1016/j.apsusc.2020.148710 doi
其它	期刊：Applied Surface Science 作者：Liang He; Liuan Li; Fan Yang; Yue Zheng; Jialin Zhang; et al 出版日期：2020-12-08
求助人	科研麻瓜在 2025-07-25 15:37:19 发布自湖北，悬赏 10 积分
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