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 Correlating device behaviors with semiconductor lattice damage at MOS interface by comparing plasma-etching and regrown recessed-gate Al2O3/GaN MOS-FETs 通过比较等离子体刻蚀和再生凹栅Al2O3/GaN MOS-FET将器件行为与MOS界面半导体晶格损伤相关联
相关领域
材料科学
光电子学
异质结
感应耦合等离子体
等离子体刻蚀
蚀刻（微加工）
等离子体
纳米技术
图层（电子）
量子力学
物理
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期刊：Applied Surface Science 作者：Liang He; Liuan Li; Fan Yang; Yue Zheng; Jialin Zhang; et al 出版日期：2020-12-08 |
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