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 29.5: Reliability Enhancement of an Indium‐Gallium‐Zinc Oxide Thin‐Film Transistor by Pre‐Fluorination Non‐Oxidizing Annealing 29.5：通过预氟化非氧化退火提高铟镓锌氧化物薄膜晶体管的可靠性
相关领域
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期刊：SID Symposium Digest of Technical Papers 作者：Sisi Wang; Man Wong 出版日期：2021-08-01 |
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