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![]() NO和wet-O2中顺序退火对4H-SiC(0001)MOS器件界面性质和可靠性的影响
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期刊:Semiconductor Science and Technology 作者:Wenhao Lu; Niannian Ge; Caiping Wan; Hengyu Xu; Zhi Hao Jin; et al 出版日期:2024-12-16 |
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