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 Secondary defects of as-grown oxygen precipitates in nitrogen doped Czochralski single crystal silicon 氮掺杂直拉单晶硅中氧析出物的二次缺陷
相关领域
材料科学
硅
扫描电子显微镜
外延
兴奋剂
晶体缺陷
叠加断层
氮气
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结晶学
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单晶
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分析化学（期刊）
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Huan Tuo; Yun Liu; Lifang Wu; Rongwang Dai; Hao Wang; et al 出版日期：2023-05-09 |
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