| 标题 |
Relationship between resistive switching and Mott transition in atomic layer deposition prepared La2Ti2O7-x thin film 相关领域
材料科学
兴奋剂
锡
薄膜
莫特绝缘子
电阻随机存取存储器
金属-绝缘体过渡
原子层沉积
光电子学
图层(电子)
纳米技术
凝聚态物理
电压
金属
冶金
电气工程
工程类
物理
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Scripta Materialia 作者:Yue Wang; Minjae Kim; Akendra Singh Chabungbam; Dong‐Eun Kim; Qingyi Shao; et al 出版日期:2022-09-19 |
| 求助人 | |
| 下载 | 暂无链接,等待应助者上传 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|