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  Cutoff frequency increase of gate recessed AlGaN/GaN MISHFETs with amorphous AlN insulator 非晶AlN绝缘体栅极凹陷AlGaN/GaN MISHFET截止频率的提高
相关领域
材料科学
截止频率
光电子学
切断
无定形固体
绝缘体（电）
宽禁带半导体
物理
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期刊：AIP Advances 作者：P. Kordoš; D. Gregušová; M. Mikulics; H. Hardtdegen 出版日期：2025-02-01 |
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