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[高分]
On performance evaluation of high‐power, high‐bandwidth current measurement technologies for SiC switching devices SiC开关器件高功率、高带宽电流测量技术的性能评估
相关领域
碳化硅
电流传感器
电子工程
晶体管
带宽(计算)
电气工程
功率半导体器件
电阻抗
MOSFET
计算机科学
切换时间
材料科学
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工程类
电压
电信
冶金
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期刊:IET Power Electronics 作者:Daniel A. Philipps; Dimosthenis Peftitsis 出版日期:2024-04-30 |
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