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标题
A Novel LG = 40 nm AlN-GDC-HEMT on SiC Wafer With fT/IDS,peak of 400 GHz/3.18 mA/mm for Future RF Power Amplifiers
用于未来射频功率放大器的新型LG=40 nm AlN-GDC-HEMT，fT/IDS，峰值400 GHz/3.18 mA/mm
相关领域
高电子迁移率晶体管 材料科学 薄脆饼 光电子学 宽禁带半导体 氮化镓 砷化镓 电气工程 晶体管 纳米技术 电压 图层（电子） 工程类
网址
https://doi.org/10.1109/access.2024.3455559
AI链接 doi.org doaj.orgdoi.org
DOI
10.1109/access.2024.3455559 doi
其它 期刊：IEEE Access
作者：B. Mounika; Asisa Kumar Panigrahy; J. Ajayan; N. Khadar Basha; Vakkalakula Bharath Sreenivasulu; et al
出版日期：2024-01-01
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LDWV 在 2025-12-04 12:45:24 发布自贵州，悬赏 10 积分
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