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Exploiting the Close-to-Dirac Point Shift of the Fermi Level in the Sb2Te3/Bi2Te3 Topological Insulator Heterostructure for Spin-Charge Conversion 利用Sb2Te3/Bi2Te3拓扑绝缘体异质结构中费米能级的近狄拉克点位移进行自旋-电荷转换
相关领域
拓扑绝缘体
异质结
费米能级
材料科学
拓扑(电路)
凝聚态物理
光电发射光谱学
表面状态
金属有机气相外延
化学气相沉积
X射线光电子能谱
光电子学
纳米技术
物理
图层(电子)
曲面(拓扑)
电子
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外延
几何学
数学
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期刊:ACS Applied Materials & Interfaces 作者:Emanuele Longo; Lorenzo Locatelli; Polychronis Tsipas; Akylas Lintzeris; A. Dimoulas; et al 出版日期:2023-10-20 |
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