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Improvement of Dynamic On-Resistance in GaN-Based Devices with a High-Quality In Situ SiN Passivation Layer 用高质量原位SiN钝化层改善GaN基器件的动态导通电阻
相关领域
钝化
原位
材料科学
图层(电子)
光电子学
纳米技术
化学
有机化学
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| 其它 |
期刊:Micromachines 作者:Jeong-Gil Kim; J.‐H. Lee; Dong‐Min Kang; Jung‐Hee Lee 出版日期:2023-06-10 |
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