Demonstration of β-Ga2O3 Junction Barrier Schottky Diodes With a Baliga's Figure of Merit of 0.85 GW/cm2 or a 5A/700 V Handling Capabilities

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标题	Demonstration of β-Ga2O3 Junction Barrier Schottky Diodes With a Baliga's Figure of Merit of 0.85 GW/cm2 or a 5A/700 V Handling Capabilities
网址	https://doi.org/10.1109/TPEL.2020.3036442
DOI	10.1109/TPEL.2020.3036442 doi
求助人	ljy 在 2026-06-29 21:39:13 发布自江苏，悬赏 10 积分
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