On the Dynamic RON, Vertical Leakage and Capacitance Behavior in pGaN HEMTs With Heavily Carbon-Doped Buffers

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标题	On the Dynamic RON, Vertical Leakage and Capacitance Behavior in pGaN HEMTs With Heavily Carbon-Doped Buffers
网址	https://iris.unimore.it/bitstream/11380/1349926/1/EDL_RON_C_...
DOI	10.1109/led.2024.3417313 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：M. Cioni; A. Chini; N. Zagni; G. Verzellesi; G. Giorgino; et al 出版日期：2024-08-01
求助人	LittleSyar 在 2026-08-11 13:34:05 发布自重庆，悬赏 10 积分
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