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 Novel shallow trench isolation process using flowable oxide CVD for sub-100 nm DRAM 相关领域
浅沟隔离
德拉姆
材料科学
动态随机存取存储器
氧化物
泄漏（经济）
沟槽
化学气相沉积
光电子学
数据保留
栅氧化层
纳米技术
电气工程
晶体管
冶金
工程类
半导体存储器
电压
图层（电子）
宏观经济学
经济
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期刊：Digest. International Electron Devices Meeting, 作者：Sung-Woong Chung; Sang-Tae Ahn; Hyun-Chul Sohn; Jachun Ku; Sungki Park; et al 出版日期：暂无 |
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