Improved Power Performance and the Mechanism of AlGaN/GaN HEMTs Using Si-Rich SiN/Si3N4 Bilayer Passivation

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标题	Improved Power Performance and the Mechanism of AlGaN/GaN HEMTs Using Si-Rich SiN/Si3N4 Bilayer Passivation
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2021.3133822
DOI	10.1109/ted.2021.3133822 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Jielong Liu; Minhan Mi; Jiejie Zhu; Siyu Liu; Pengfei Wang; et al 出版日期：2021-12-22
求助人	啊啊在 2026-09-09 11:38:47 发布自浙江，悬赏 10 积分
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