| 标题 |
Comprehensive device and product level reliability studies on advanced CMOS technologies featuring 7nm high-k metal gate FinFET transistors |
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:2018 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) 作者:D. S. Huang; J. H. Lee; Y. S. Tsai; Y. F. Wang; Y.S. Huang; et al 出版日期:2018-05-09 |
| 求助人 | |
| 下载 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)