Electrical Characteristics of AlO$_x$N$_y$ Prepared by Oxidation of Sub-10-nm-thick AlN Films for MOS Gate Dielectric Applications

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标题	Electrical Characteristics of AlO$_x$N$_y$ Prepared by Oxidation of Sub-10-nm-thick AlN Films for MOS Gate Dielectric Applications
网址	https://doi.org/10.3938/jkps.37.886
DOI	10.3938/jkps.37.886 doi
其它	期刊：Journal of the Korean Physical Society 作者：Jeon Sanghun; Hyeon-Woo Jang; Hyunsoo Kim; Do Young Noh; Hwang Hyunsang 出版日期：2000-12-01
求助人	WZ 在 2026-07-06 10:09:03 发布自日本，悬赏 10 积分
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