| 标题 |
 Rapid growth of α-Ga2O3 by HCl-boosted halide vapor phase epitaxy and effect of precursor supply conditions on crystal properties HCl增强卤化物气相外延快速生长α-Ga2O3及前驱体供应条件对晶体性能的影响
相关领域
卤化物
化学
增长率
分析化学（期刊）
外延
杂质
气相
Crystal（编程语言）
晶体生长
相（物质）
结晶学
无机化学
几何学
色谱法
有机化学
物理
图层（电子）
计算机科学
热力学
数学
程序设计语言
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Yuichi Oshima; Katsuaki Kawara; Takayoshi Oshima; Mitsuru Okigawa; Takashi Shinohe 出版日期：2020-02-20 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
cdercder
aaaa
Nole
嘉心糖
xing_xing
Dong021
失眠的耳机
科研狗
文静的含蕾
那时花开
学术文献互助
李蕙芯
牧青
GingerF
斯文的白玉
OK
渡人舟
Anonymous
殷勤的紫槐
皖公网安备34019202002308
