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 Rapid growth of α-Ga2O3 by HCl-boosted halide vapor phase epitaxy and effect of precursor supply conditions on crystal properties HCl增强卤化物气相外延快速生长α-Ga2O3及前驱体供应条件对晶体性能的影响
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Yuichi Oshima; Katsuaki Kawara; Takayoshi Oshima; Mitsuru Okigawa; Takashi Shinohe 出版日期：2020-02-20 |
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