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 Writing‐Speed Dependent Thresholds of Ferroelectric Domain Switching in Monolayer α‐In2Se3 相关领域
铁电性
材料科学
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单层
纳米尺度
数码产品
切换时间
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物理化学
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晶体管
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期刊：Small methods 作者：Weijie Yang; Bo Cheng; Jianhua Hou; Junkai Deng; Xiangdong Ding; et al 出版日期：2023-05-05 |
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