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 Enhanced initial photocurrent caused by the multiplication process at punch-through voltage in InGaAs/InP avalanche photodiode with highly doped charge layer 高掺杂电荷层InGaAs/InP雪崩光电二极管在穿通电压下倍增过程引起的初始光电流增强
相关领域
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期刊：Infrared Physics & Technology 作者：Wei Liu; Zhenghai Shi; Junhua Gao 出版日期：2022-08-01 |
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