Study on gate capacitance-voltage characteristics of strained-SiGe pMOSFET

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标题	Study on gate capacitance-voltage characteristics of strained-SiGe pMOSFET 应变SiGe pMOSFET栅极电容-电压特性研究相关领域材料科学电容高原（数学）兴奋剂光电子学 MOSFET 栅极电压阈值电压电压电气工程物理晶体管电极工程类量子力学数学分析数学
网址	https://doi.org/10.7498/aps.62.127102
DOI	10.7498/aps.62.127102 doi
其它	期刊：Acta Physica Sinica 作者：Bin Wang; Zhang He-Ming; Huiyong Hu; Yuming Zhang; Jianjun Song; et al 出版日期：2013-01-01
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