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 Defect‐Engineered n‐Doping of WSe2 via Argon Plasma Treatment and Its Application in Field‐Effect Transistors 相关领域
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期刊：Advanced Materials Interfaces 作者：Jung-Hun Kim; Hyunik Park; Sang Hyuk Yoo; Yeon-Ho Im; Keonwook Kang; et al 出版日期：2021-06-27 |
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淡淡的南风
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