| 标题 |
[高分]
A Nano-power Switched-capacitor Voltage Reference Using MOS Body Effect for Applications in Subthreshold LSI 基于MOS体效应的纳米功率开关电容基准电压源在亚阈值LSI中的应用
相关领域
阈下传导
带隙基准
材料科学
CMOS芯片
电气工程
电压
过驱动电压
电压基准
晶体管
灵敏度(控制系统)
PMOS逻辑
MOSFET
阈值电压
开关电容器
光电子学
电容器
跌落电压
电子工程
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:JSTS Journal of Semiconductor Technology and Science 作者:Hao Zhang; Meng-Shu Huang; Yi-Meng Zhang; Tsutomu Yoshihara 出版日期:2014-02-28 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)