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β-Ga₂O₃ Lateral High-Permittivity Dielectric Superjunction Schottky Barrier Diode With 1.34 GW/cm² Power Figure of Merit 功率品质因数为1.34 GW/cm²的β-Ga₂O₃横向高介电常数介质超结肖特基势垒二极管
相关领域
电介质
肖特基二极管
击穿电压
二极管
材料科学
肖特基势垒
光电子学
物理
电气工程
拓扑(电路)
量子力学
电压
工程类
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Saurav Roy; Arkka Bhattacharyya; Carl Peterson; Sriram Krishnamoorthy 出版日期:2022-11-03 |
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