The total dose irradiation effects of SOI NMOS devices under different bias conditions

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标题	The total dose irradiation effects of SOI NMOS devices under different bias conditions 相关领域 NMOS逻辑绝缘体上的硅材料科学辐照光电子学阈值电压偏压电压栅氧化层电流（流体）电气工程硅物理晶体管工程类核物理学
网址	https://doi.org/10.7498/aps.61.220702
DOI	10.7498/aps.61.220702 doi
其它	期刊：Acta Physica Sinica 作者：Qingqing Zhuo; Hongxia Liu; Zhaonian Yang; Cai Hui-Min; Yue Hao 出版日期：2012-01-01
求助人	Leon 在 2025-10-13 17:38:02 发布自宁夏，悬赏 10 积分
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