| 标题 |
[高分]
 Analysis of DRAM Standby Current Failure due to Hot Electron Induced Punch-through (HEIP) of PMOS transistor PMOS晶体管热电子诱导击穿(HEIP)引起的DRAM待机电流故障分析
相关领域
德拉姆
PMOS逻辑
晶体管
材料科学
备用电源
电流（流体）
降级（电信）
静态随机存取存储器
热载流子注入
电气工程
磨合
光电子学
电子工程
工程类
电压
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Proceedings 作者：M. H. Cho; Y. I. Kim; Jung-Hwan Choi; D. S. Woo; K. P. Lee; et al 出版日期：2005-10-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
yuzhenzhong
Lv3 求助人 关闭了本次求助。
说明 已找到【积分已退回】
yuzhenzhong
Lv3 求助人 发起了本次求助
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Nole
cdercder
无极微光
wwww
学术文献互助
huang
Maestro_S
十一月1112
修仙中
AdamJie
OK
东方元语
sagitar
xing_xing
arniu2008
aaaa
昏睡的蟠桃
Car66614
牧青
初景
皖公网安备34019202002308
